Схема общей базы

схема общей базы
Функциональная схема усилителя с транзистором, включенным по схеме с ОБ приведена на рисунке 2. Рисунок 2 Функциональная схема включения транзистора с общей базой На данной схеме пунктиром показаны границы усилителя, изображенного на рисунке 1. На ней не показаны цепи питания транзистора. Если оно не соответствует 0,6…0,7 вольт для кремния, или 0,2…0,3 вольта для германия, тогда ищите неисправность именно здесь – либо неисправен транзистор, либо неисправны цепи смещения или развязки этого транзисторного каскада. Поэтому схема с общей базой наиболее часто используется для построения высокочастотных усилителей, особенно вблизи верхней границы рабочего диапазона частот транзистора.


Резисторы R1 и R2 образуют схему коллекторной стабилизации режима работы. Чем больше будет освещённость области базы, тем существенней станет ток коллектора фототранзистора. Благодаря такому включению удалось значительно (за счет применения отрицательной обратной связи) расширить диапазон рабочих температур каскада. Транзисторы по праву считаются одним из великих открытий человечества. Так как это поле велико, концентрация электронов в базе непосредственно у коллекторного р-п перехода практически равна нулю.

Это меньше, чем у каскада с транзистором, подсоединённым по схеме с общим коллектором. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном уровне шумов. Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно в каскадах усилителей высоких частот. Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9. Рисунок 9. Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.