Включение транзистора по схеме с обще

включение транзистора по схеме с обще
Далее находим сопротивление резистора R2 = 19,5 килоом . Далее — сопротивление резистора R1 = 70,5 Килоом. По формуле вычисляем минимальную емкость конденсатора С1 = 0,016 микрофарад. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Рис. 6. Рассмотрим более внимательно составляющие токов в биполярном транзисторе п-р-п типа. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Основная статья: Каскад с общим эмиттером Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1]. Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб. Достоинства Большой коэффициент усиления по току. Эта схема, является основной, для усиления сигналов разной амплитуды и формы.


Его можно определить по следующей формуле: (3) Учитывая, что коэффициент усиления по току h21б схемы с общей базой близок к единице, то коэффициент усиления по напряжению будет равен отношению сопротивления нагрузки Rн к входному сопротивлению этого транзисторного каскада rэ. Однако, поскольку в качестве нагрузки можно использовать резистор с большим сопротивлением, транзистор в данной схеме может служить для передачи тока низкоомного источника на высокоомную нагрузку, обеспечивая тем самым значительное усиление мощности. Когда переход ЭБ открыт, то электроны с эмиттера легко перемещаются в базу (происходит рекомбинация). Но, как говорилось ранее, слой базы тонкий и проводимость ее мала, по этому часть электронов успевает переместиться к переходу база-коллектор. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки. Эти свойства схемы с общим коллектором используются для согласования транзисторных каскадов — как «буферный каскад». Так как, входной сигнал, не усиливаясь по амплитуде «повторяется» на выходе, схему включения транзистора с общим коллектором ещё называют Эмиттерный повторитель.

Значение коллекторного тока почти равно току эмиттера, исключая потери при рекомбинации в базе, которая и образовывает ток базы, таким образом справедлива формула: ІЭ=ІБ+ІК. Основные параметры транзистора: Коэффициент усиления по току – отношение действующего значения коллекторного тока к току базы. Функциональная схема усилителя с транзистором, включенным по схеме с ОБ приведена на рисунке 2. Рисунок 2 Функциональная схема включения транзистора с общей базой На данной схеме пунктиром показаны границы усилителя, изображенного на рисунке 1. На ней не показаны цепи питания транзистора. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Фактически, полное выходное дифференциальное сопротивление каскада представляет собой в эквивалентной схеме параллельное соединение коллекторного резистора и дифференциального выходного коллекторного сопротивления транзистора. Для приведения входного и выходного сопротивления транзистора к стандартному волновому сопротивлению линий передачи 50 Ом обычно используются фильтры нижних или верхних частот. Другими словами фаза выходного сигнала поворачивается на 180 градусов.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.