Схема питания транзисторов с общей базой


Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Рассмотренная нами выше схема каскада по схеме с общим эмиттером является схемой с фиксированным током базы. Следовательно, облучение фототранзистора приводит к увеличению тока его коллектора.


Включение фототранзистора в электрическую цепь таково, что к эмиттеру подключают положительный полюс внешнего источника питания, к коллектору подсоединяют нагрузочный резистор, к которому в свою очередь подключают отрицательный полюс источника питания. Это может быть полезным для реализации высокочастотных усилителей. Благодаря такому включению удалось значительно (за счет применения отрицательной обратной связи) расширить диапазон рабочих температур каскада. Отрезок АЧХ от точки С, до точки А называют рабочей областью смещения. Следовательно, данный каскад даёт чуть меньшее усиление по мощности, чем по напряжению.

Если оно не соответствует 0,6…0,7 вольт для кремния, или 0,2…0,3 вольта для германия, тогда ищите неисправность именно здесь – либо неисправен транзистор, либо неисправны цепи смещения или развязки этого транзисторного каскада. Возвращаясь к схеме на рис. 9-10, оценим ее свойства в полосе частот сигнала. На низших частотах часть выходного напряжения будет падать на сопротивлении конденсатора Cp2, и тем большая часть, чем ниже частота. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Когда переход ЭБ открыт, то электроны с эмиттера легко перемещаются в базу (происходит рекомбинация). Но, как говорилось ранее, слой базы тонкий и проводимость ее мала, по этому часть электронов успевает переместиться к переходу база-коллектор. Вначале по формуле расчитываем сопротивление резистора в цепи эмиттера R4 = 0,6 килоом.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.